Spende 15. September, 2024 – 1. Oktober, 2024 Über Spenden

Suche nach den Begriffen

  • Main
  • Suche nach den Begriffen
1
Полупроводниковая схемотехника

Полупроводниковая схемотехника

Титце У., Шенк К.
рис
схемы
тока
напряжения
транзистора
схема
моп
транзисторов
напряжение
ток
общим
усилителя
обратной
сигналов
сигнала
усиления
связи
сопротивление
малых
рабочей
усилитель
коэффициент
сопротивления
области
транзисторы
усилители
характеристики
усиление
источника
шумов
шума
точки
напряжению
мгц
эмиттером
режиме
ком
транзистор
выходное
схеме
транзисторах
схем
помощью
получим
режима
мка
связью
параметры
усилителей
коэффициента
Jahr:
2008
Sprache:
russian
Datei:
DJVU, 5.36 MB
0 / 0
russian, 2008
2
Полупроводниковая схемотехника. Т. I

Полупроводниковая схемотехника. Т. I

Титце У.
рис
схемы
тока
aгентство
cервис
kнига
бибком
оао
ооо
цкб
напряжения
транзистора
моп
схема
ток
транзисторов
общим
напряжение
усилителя
обратной
сигналов
сигнала
усиления
связи
малых
сопротивление
рабочей
усилитель
коэффициент
усилители
транзисторы
области
сопротивления
усиление
характеристики
шума
точки
шумов
источника
мгц
напряжению
режиме
эмиттером
схеме
ком
схем
выходное
транзистор
помощью
режима
Sprache:
russian
Datei:
PDF, 43.65 MB
0 / 0
russian
3
Полупроводниковая схемотехника

Полупроводниковая схемотехника

Титце У., Шенк К.
рис
схемы
тока
напряжения
транзистора
моп
схема
ток
транзисторов
общим
напряжение
усилителя
обратной
сигналов
сигнала
усиления
связи
малых
сопротивление
рабочей
усилитель
коэффициент
усилители
транзисторы
области
сопротивления
усиление
характеристики
шума
точки
шумов
источника
мгц
напряжению
режиме
эмиттером
схеме
ком
схем
выходное
транзистор
помощью
режима
транзисторах
получим
связью
параметры
усилителей
мка
емкость
Jahr:
2008
Sprache:
russian
Datei:
PDF, 44.03 MB
0 / 0
russian, 2008
4
Полупроводниковая схемотехника. Том I

Полупроводниковая схемотехника. Том I

Титце У., Шенк К.
рис
схемы
тока
напряжения
транзистора
моп
схема
ток
транзисторов
общим
напряжение
усилителя
обратной
сигналов
сигнала
усиления
связи
малых
сопротивление
рабочей
усилитель
коэффициент
усилители
транзисторы
области
сопротивления
усиление
характеристики
шума
точки
шумов
источника
мгц
напряжению
режиме
эмиттером
схеме
ком
схем
выходное
транзистор
помощью
режима
транзисторах
получим
связью
параметры
усилителей
мка
емкость
Jahr:
2009
Sprache:
russian
Datei:
PDF, 43.65 MB
0 / 0
russian, 2009
5
Полупроводниковая схемотехника

Полупроводниковая схемотехника

Титце У., Шенк К.
рис
схемы
тока
напряжения
транзистора
моп
схема
ток
транзисторов
общим
напряжение
усилителя
обратной
сигналов
сигнала
усиления
связи
малых
сопротивление
рабочей
усилитель
коэффициент
усилители
транзисторы
области
сопротивления
усиление
характеристики
шума
точки
шумов
источника
мгц
напряжению
режиме
эмиттером
схеме
ком
схем
выходное
транзистор
помощью
режима
транзисторах
получим
связью
параметры
усилителей
мка
емкость
Jahr:
2008
Sprache:
russian
Datei:
PDF, 43.54 MB
0 / 0
russian, 2008
6
Полупроводниковая схемотехника (в 2-х томах). Том 1

Полупроводниковая схемотехника (в 2-х томах). Том 1

Титце У., Шенк К.
рис
схемы
тока
напряжения
транзистора
моп
схема
ток
транзисторов
общим
напряжение
усилителя
обратной
сигналов
сигнала
усиления
связи
малых
сопротивление
рабочей
усилитель
коэффициент
усилители
транзисторы
области
сопротивления
усиление
характеристики
шума
точки
шумов
источника
напряжению
режиме
эмиттером
схеме
схем
выходное
мгц
транзистор
помощью
режима
транзисторах
связью
параметры
получим
усилителей
емкость
питания
емкости
Jahr:
2008
Sprache:
russian
Datei:
DJVU, 8.37 MB
0 / 0
russian, 2008
8
Физика и моделирование нанотранзисторов

Физика и моделирование нанотранзисторов

Ю.А. Кругляк
рис
mosfet
проводимости
vds
канала
vgs
напряжения
электронов
ток
стоке
тока
модели
скорость
истока
области
заряд
затворе
прохождения
стока
уравнение
барьера
насыщения
напряжение
рассеяния
модель
режиме
потенциал
cox
затвора
скорости
электроны
etsoi
область
уравнения
потенциала
ферми
длины
транзистора
виртуального
характеристики
впрыскивания
заряда
инверсии
истощения
подвижность
канале
энергии
vinj
вершине
транзисторов
Jahr:
2018
Sprache:
russian
Datei:
PDF, 16.87 MB
0 / 0
russian, 2018
9
Мощные полевые транзисторы и их применение

Мощные полевые транзисторы и их применение

Окснер Э.С.
мдп
рис
транзистора
мощных
напряжения
транзисторов
тока
транзистор
напряжение
ток
мощного
затвора
управления
сопротивление
транзисторы
стока
области
затвор
мощности
схемы
исток
сопротивления
сигнала
емкость
транзисторах
схема
мощные
полевых
каналом
мощный
состоянии
переключения
емкости
типа
характеристики
сток
усилителя
область
прибора
усиления
переходом
биполярных
частоты
помощью
сит
канала
цепи
затвором
управляющим
переключателя
Jahr:
1985
Sprache:
russian
Datei:
DJVU, 3.63 MB
0 / 0
russian, 1985
10
Мощные полевые транзисторы и их применение

Мощные полевые транзисторы и их применение

Окснер Э. С., Перевод с английского И.Г.Ксендзацкого и Е.А.Коломбета.
мдп
рис
транзистора
мощных
напряжения
транзисторов
тока
транзистор
напряжение
ток
мощного
затвора
управления
транзисторы
сопротивление
стока
области
затвор
мощности
схемы
исток
сопротивления
сигнала
емкость
транзисторах
мощные
схема
полевых
каналом
мощный
состоянии
переключения
емкости
типа
характеристики
сток
усилителя
область
прибора
усиления
переходом
биполярных
частоты
помощью
сит
канала
цепи
затвором
управляющим
переключателя
Jahr:
1985
Sprache:
russian
Datei:
DJVU, 3.60 MB
0 / 0
russian, 1985
11
Базовые ячейки функциональных узлов радиоэлектронных устройств на полевых транзисторах. Конспект

Базовые ячейки функциональных узлов радиоэлектронных устройств на полевых транзисторах. Конспект

Кулешов В.Н. и др.
рис
uзи
общим
каскада
усиления
uси
jω
вых
напряжения
частотах
схема
схеме
характеристики
истоком
рабочей
uотс
стоком
напряжение
средних
транзистора
мопт
rси
точки
характеристик
коэффициента
стока
цепи
uвых
коэффициент
схемы
ток
тока
напряжению
затвором
точке
сигнала
uвх
выходной
нагрузки
каналом
области
выходных
отс
выходного
eпс
инвертора
cзс
входной
т.е
сзс
Jahr:
2005
Sprache:
russian
Datei:
PDF, 3.12 MB
0 / 0
russian, 2005
12
Интегральные схемы на комплементарных МОП-транзисторах: Учебное пособие

Интегральные схемы на комплементарных МОП-транзисторах: Учебное пособие

Ракитин В.В.
рис
моп
кмоп
сигнала
напряжение
схемы
напряжения
транзисторов
ацп
усиления
сигнал
транзистора
схема
выходной
тока
цап
выходного
vdd
коэффициент
ток
входной
схем
выходе
выходное
сопротивление
усилителя
усилитель
инвертора
элементов
режиме
сигналов
емкости
входного
порядка
характеристики
емкость
питания
выход
используют
параметры
т.е
вентилей
зависит
фильтр
использовать
обратной
транзисторы
параметров
общим
фильтра
Jahr:
2007
Sprache:
russian
Datei:
PDF, 11.17 MB
0 / 0
russian, 2007
13
Физические основы кремниевой наноэлектроники: учебное пособие для вузов

Физические основы кремниевой наноэлектроники: учебное пособие для вузов

Зебрев Г. И.
рис
мопт
канала
напряжения
канале
тока
носителей
vds
ϕs
транзистора
exp
кни
электронов
области
ток
напряжение
потенциала
поля
стока
технологии
истока
2ϕf
порогового
электрического
моп
плотность
утечки
подложки
ϕt
определяется
транзисторов
окисла
структуры
плотности
vgs
счет
потенциал
энергии
кремния
затворе
пороговое
уравнения
зависимость
эффекты
затвора
слоя
раздела
насыщения
заряда
состояний
Jahr:
2020
Sprache:
russian
Datei:
PDF, 4.25 MB
0 / 0
russian, 2020
14
Физические основы кремниевой наноэлектроники : учебное пособие для вузов

Физические основы кремниевой наноэлектроники : учебное пособие для вузов

Зебрев Г.И.
рис
мопт
канала
напряжения
канале
тока
носителей
vds
ϕs
транзистора
exp
кни
электронов
области
ток
напряжение
потенциала
поля
стока
технологии
истока
2ϕf
порогового
электрического
моп
плотность
утечки
подложки
ϕt
определяется
транзисторов
окисла
структуры
плотности
vgs
счет
потенциал
энергии
кремния
затворе
пороговое
уравнения
зависимость
эффекты
затвора
слоя
раздела
насыщения
заряда
состояний
Jahr:
2020
Sprache:
russian
Datei:
PDF, 4.56 MB
0 / 0
russian, 2020
15
Физические основы кремниевой наноэлектроники

Физические основы кремниевой наноэлектроники

Зебрев Г.И.
рис
мопт
aгентство
cервис
kнига
бибком
оао
ооо
цкб
канала
напряжения
канале
тока
носителей
vds
транзистора
exp
ϕs
кни
электронов
ток
области
напряжение
потенциала
поля
стока
технологии
истока
порогового
2ϕf
электрического
моп
плотность
утечки
подложки
ϕt
определяется
транзисторов
окисла
структуры
плотности
vgs
счет
потенциал
энергии
кремния
затворе
пороговое
уравнения
зависимость
Jahr:
2012
Sprache:
russian
Datei:
PDF, 11.03 MB
0 / 0
russian, 2012
16
Физические основы кремниевой наноэлектроники

Физические основы кремниевой наноэлектроники

Зебрев Г.И.
рис
мопт
канала
напряжения
канале
тока
носителей
vds
ϕs
транзистора
exp
кни
электронов
области
ток
напряжение
потенциала
поля
стока
технологии
истока
2ϕf
порогового
электрического
моп
плотность
утечки
подложки
ϕt
определяется
транзисторов
окисла
структуры
плотности
vgs
счет
потенциал
энергии
кремния
затворе
пороговое
уравнения
зависимость
эффекты
затвора
слоя
раздела
насыщения
заряда
состояний
Jahr:
2015
Sprache:
russian
Datei:
PDF, 4.62 MB
0 / 0
russian, 2015
17
Физические основы кремниевой наноэлектроники

Физические основы кремниевой наноэлектроники

Зебрев Г.И.
рис
мопт
канала
напряжения
тока
канале
носителей
транзистора
vds
электронов
ток
области
напряжение
поля
потенциала
стока
ехр
кии
технологии
истока
моп
подложки
утечки
плотность
электрического
окисла
структуры
порогового
транзисторов
определяется
плотности
счет
потенциал
энергии
кремния
зависимость
затвора
затворе
уравнения
слоя
раздела
эффекты
заряда
пороговое
vgs
легирования
получаем
насыщения
уравнение
состояний
Jahr:
2011
Sprache:
russian
Datei:
PDF, 35.73 MB
0 / 0
russian, 2011
19
Физические основы кремниевой наноэлектроники

Физические основы кремниевой наноэлектроники

Зебрев Г.И.
рис
ϕ
канала
мопт
напряжения
канале
носителей
тока
exp
vds
транзистора
кни
электронов
области
ток
потенциала
напряжение
поля
стока
истока
2ϕ
порогового
электрического
подложки
моп
технологии
плотность
определяется
плотности
vgs
окисла
счет
ϕt
зависимость
транзисторов
утечки
пороговое
потенциал
затворе
кремния
затвора
слоя
раздела
энергии
заряда
насыщения
структуры
получаем
легирования
vdd
Jahr:
2008
Sprache:
russian
Datei:
PDF, 2.45 MB
0 / 0
russian, 2008
20
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ КРЕМНИЕВОЙ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ КРЕМНИЕВОЙ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ

Г.И. ЗЕБРЕВ
рис
ϕ
канала
мопт
напряжения
канале
носителей
тока
exp
vds
транзистора
кни
электронов
области
ток
потенциала
напряжение
поля
стока
истока
2ϕ
порогового
электрического
подложки
моп
технологии
плотность
определяется
плотности
vgs
окисла
счет
ϕt
зависимость
транзисторов
утечки
пороговое
потенциал
затворе
кремния
затвора
слоя
раздела
энергии
заряда
насыщения
структуры
получаем
легирования
vdd
Jahr:
2008
Sprache:
russian
Datei:
PDF, 5.40 MB
0 / 0
russian, 2008
21
Теория и применение полевых транзисторов

Теория и применение полевых транзисторов

Кобболд Р.
рис
канала
области
моп
vds
затвора
тока
vgs
транзистора
стока
напряжения
effect
птуп
транзисторов
затвор
transistors
насыщения
величина
схемы
схема
характеристики
заряда
сток
прибора
зависимости
исток
напряжение
ток
заряд
величины
devices
electronics
proc
solid
емкости
типа
electron
сопротивление
приборов
зависимость
transistor
емкость
коэффициент
сигнала
окисла
счет
полупроводника
определяется
silicon
носителей
Jahr:
1975
Sprache:
russian
Datei:
DJVU, 4.02 MB
0 / 0
russian, 1975
22
Исследование усилительных каскадов на полевом транзисторе с управляющим p-n-переходом: Методические указания к лабораторному практикуму

Исследование усилительных каскадов на полевом транзисторе с управляющим p-n-переходом: Методические указания к лабораторному практикуму

Охремчик С.А.
uзи
uси
напряжения
рис
вах
стока
усилителя
сопротивление
напряжение
ток
тока
uвых
uзи0
uси0
выходное
исток
rвых
сопротивления
uвх
усиления
напряжений
насыщения
транзистора
резистор
входного
истоком
сток
значения
измерения
схеме
общим
выходного
iвых
области
сигнала
канала
rвх
затвор
источника
схема
входное
затвора
истока
каскада
выходной
макета
схемы
коэффициент
область
типа
Jahr:
2007
Sprache:
russian
Datei:
PDF, 632 KB
0 / 0
russian, 2007
23
Полупроводниковые приборы в технике электросвязи. Выпуск 03. Сборник статей

Полупроводниковые приборы в технике электросвязи. Выпуск 03. Сборник статей

рис
тока
усилителя
коэффициент
схемы
усиления
сопротивления
напряжения
сигнала
транзисторов
транзистора
обратной
каскада
сопротивление
зависимости
величины
связи
схем
напряжение
параметров
схема
ток
характеристики
цепи
общим
схеме
усилителей
определяется
коэффициента
считывания
изд
перехода
выражения
значения
цепочки
влияние
емкости
структуры
величина
коллектора
выходного
связь
частоты
выражение
зависимость
передачи
помехи
тиристора
усилитель
макс
Jahr:
1969
Sprache:
russian
Datei:
DJVU, 3.69 MB
0 / 0
russian, 1969
24
Основы промышленной электроники

Основы промышленной электроники

Потапов Л.А., Максимцев Е.И.
рис
напряжения
напряжение
ток
тока
памяти
транзистора
управления
устройства
wmf
схема
unknown
сигнала
транзисторов
сопротивление
сигналов
схемы
uвх
данных
uвых
типа
питания
транзистор
элементов
транзисторы
входного
мощности
информации
усиления
коэффициент
устройство
выходе
называют
помощью
устройств
имеют
цепи
число
сигнал
команды
память
каскада
микросхемы
микросхем
вход
режиме
выходного
команд
частоты
диоды
Sprache:
russian
Datei:
DOC, 4.19 MB
0 / 0
russian
25
Основы электроники

Основы электроники

Потапов Л.А., Максимцев Е.И.
рис
напряжения
напряжение
ток
тока
памяти
транзистора
управления
устройства
wmf
схема
unknown
сигнала
транзисторов
сопротивление
сигналов
схемы
uвх
данных
uвых
типа
питания
транзистор
элементов
транзисторы
входного
мощности
информации
усиления
коэффициент
устройство
выходе
называют
помощью
устройств
имеют
цепи
число
сигнал
команды
память
каскада
микросхемы
вход
микросхем
режиме
выходного
команд
частоты
диоды
Sprache:
russian
Datei:
DOC, 3.86 MB
0 / 0
russian
26
Основы электроники : учебное пособие

Основы электроники : учебное пособие

Потапов Леонид Алексеевич
рис
напряжения
напряжение
aгентство
cервис
kнига
бибком
оао
ооо
цкб
ток
тока
памяти
транзистора
управления
устройства
сигнала
схема
сигналов
транзисторов
сопротивление
схемы
uвх
данных
uвых
типа
питания
транзистор
элементов
транзисторы
входного
мощности
информации
усиления
коэффициент
выходе
называют
помощью
устройств
устройство
имеют
цепи
число
память
сигнал
каскада
вход
микросхем
микросхемы
команды
Sprache:
russian
Datei:
PDF, 2.25 MB
0 / 0
russian
27
Основная элементная база электронных устройств

Основная элементная база электронных устройств

Масленников В.В.
рис
напряжения
цепи
напряжение
ток
транзистора
тока
сопротивление
перехода
т.е
индуктивности
схеме
конденсатора
цепь
выходе
конденсатор
электронов
э.д.с
типа
jω
полупроводника
конденсаторе
передачи
транзисторов
называется
ачх
базой
общей
характеристики
схема
интегрирующей
переход
схемы
транзистор
зависимости
мдп
транзисторы
электроны
цепей
электрической
электронных
коэффициент
направлении
носителей
области
стоком
истоком
источник
электрических
uвых
Sprache:
russian
Datei:
PDF, 1.57 MB
0 / 0
russian
28
Электроника

Электроника

сост. : Г. К. Былкова, Е. В. Кузьмин, Я. И. Сенченко.
канала
рис
стока
напряжения
ток
каналом
типа
транзистора
канал
тока
напряжение
транзисторов
заряда
затворе
мдп
толщина
носителей
затвор
характеристики
транзисторы
истоком
const
затвором
сопротивление
истока
перехода
полевых
слой
характеристик
канале
стоком
управляющим
индуцированным
области
затвора
напряжением
переходом
полевого
уменьшается
поле
транзистор
напряжении
напряжениях
полупроводника
насыщения
проводимости
цепи
диэлектрика
емкость
нагрузки
Sprache:
russian
Datei:
PDF, 418 KB
0 / 0
russian
29
Основная элементная база электронных устройств: учебное пособие для вузов

Основная элементная база электронных устройств: учебное пособие для вузов

Масленников В.В.
рис
напряжения
цепи
напряжение
ток
транзистора
тока
сопротивление
перехода
т.е
индуктивности
схеме
конденсатора
цепь
выходе
конденсатор
электронов
э.д.с
типа
jω
полупроводника
конденсаторе
передачи
транзисторов
называется
ачх
базой
общей
характеристики
схема
интегрирующей
переход
схемы
транзистор
зависимости
мдп
транзисторы
электроны
цепей
электрической
электронных
коэффициент
направлении
носителей
области
стоком
истоком
источник
электрических
uвых
Jahr:
2012
Sprache:
russian
Datei:
PDF, 1.19 MB
0 / 0
russian, 2012
30
Основная элементная база электронных устройств

Основная элементная база электронных устройств

Масленников В.В.
рис
напряжения
цепи
напряжение
ток
транзистора
тока
сопротивление
перехода
т.е
индуктивности
схеме
конденсатора
цепь
выходе
конденсатор
электронов
э.д.с
типа
jω
полупроводника
конденсаторе
передачи
транзисторов
называется
ачх
базой
общей
характеристики
схема
интегрирующей
переход
схемы
транзистор
зависимости
мдп
транзисторы
электроны
цепей
электрической
электронных
коэффициент
направлении
носителей
области
стоком
истоком
источник
электрических
uвых
Jahr:
2012
Sprache:
russian
Datei:
PDF, 10.17 MB
0 / 0
russian, 2012
31
Космическая игра. Исследование рубежей человеческого сознания

Космическая игра. Исследование рубежей человеческого сознания

Гроф С.
сознания
переживания
творения
реальности
игра
космическая
холотропных
вселенной
переживаний
различных
сознание
состояниях
природы
бытия
переживание
состояния
мире
повседневной
процесс
человеческой
науки
нашего
полностью
состояний
многих
зла
смерть
истории
космического
существование
рождения
связь
существования
наше
пределы
различные
формы
прозрения
духовных
психики
события
процесса
космической
материалистической
аспекты
ситуации
холотропные
множество
нами
реальность
Jahr:
2004
Sprache:
russian
Datei:
DOC, 1.42 MB
0 / 0
russian, 2004
32
Станислав Гроф. Космическая игра

Станислав Гроф. Космическая игра

сознания
переживания
творения
реальности
игра
космическая
холотропных
вселенной
различных
переживаний
сознание
состояниях
природы
бытия
переживание
состояния
мире
повседневной
процесс
человеческой
науки
нашего
полностью
состояний
многих
зла
истории
смерть
космического
существование
различные
рождения
связь
существования
наше
пределы
формы
прозрения
духовных
психики
события
процесса
космической
материалистической
аспекты
множество
ситуации
холотропные
нами
реальность
Sprache:
russian
Datei:
TXT, 958 KB
0 / 0
russian
33
Радиотехнические схемы на полевых транзисторах

Радиотехнические схемы на полевых транзисторах

Милехин А.Г
рис
транзистора
полевых
транзисторов
схема
схемы
напряжения
сигнала
напряжение
усиления
тока
сопротивление
коэффициент
усилителя
схеме
транзисторах
цепи
ток
полевого
стока
типа
транзистор
сопротивления
каскада
канала
транзисторы
частоты
обратной
связи
емкости
затвора
питания
усилителей
усилитель
затворе
отсечки
смещения
входного
выходного
напряжением
напряжению
входной
каскад
входное
качестве
передачи
принципиальная
затвор
полевые
применение
Sprache:
russian
Datei:
DJVU, 3.49 MB
0 / 0
russian
34
Лабораторный практикум по дисциплине «Электроника». Ч. 2

Лабораторный практикум по дисциплине «Электроника». Ч. 2

Арефьев А. С.
напряжения
транзистора
каналом
uзи
рис
полевого
значения
помощью
питания
диода
включения
uси
таблицы
схему
тока
панели
aгентство
cервис
kнига
бибком
оао
ооо
цкб
биполярным
источника
транзистором
коллектором
логического
микросхемы
блока
положение
элемента
закороченными
плавной
регулировки
установить
таблицу
результаты
силы
эмиттером
занести
схема
отс
вольт
определить
исследование
лабораторного
ручку
образованного
операцию
Sprache:
russian
Datei:
PDF, 976 KB
0 / 0
russian
35
Радиотехнические схемы на полевых транзисторах

Радиотехнические схемы на полевых транзисторах

Милехин А.Г.
рис
транзистора
полевых
транзисторов
схема
схемы
напряжения
усиления
сигнала
напряжение
тока
коэффициент
сопротивление
усилителя
схеме
транзисторах
ток
цепи
стока
полевого
типа
сопротивления
транзистор
канала
каскада
транзисторы
частоты
емкости
по­
связи
затвора
обратной
питания
усилителей
усилитель
отсечки
входного
затворе
смещения
выходного
каскад
напряжению
затвор
входное
напряжением
передачи
входной
качестве
ключа
полевые
Jahr:
1976
Sprache:
russian
Datei:
PDF, 8.47 MB
0 / 0
russian, 1976
36
Схемотехника аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств: учебное пособие : для студентов ННГУ, обучающихся по направлению подготовки 010800 "Радиофизика" и специальности 090106 "Информационная безопасность телекоммуникационных систем"

Схемотехника аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств: учебное пособие : для студентов ННГУ, обучающихся по направлению подготовки 010800 "Радиофизика" и специальности 090106 "Информационная безопасность телекоммуникационных систем"

Е. И. Шкелев, М-во образования и науки Российской Федерации, Нижегородский гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского, Нац. исследовательский ун-т
рис
тока
напряжения
uвых
сигнала
uвх
ток
напряжение
транзистора
транзисторов
цепи
общим
вых
передачи
коэффициент
сопротивление
фап
усиления
усилителя
rвн
схема
базы
частоты
транзисторы
эмиттера
eсм
зависит
каскада
схемы
частот
rвх
режиме
напряжению
обратной
сопротивления
аналоговых
напряжений
системы
эмиттером
ёмкости
входного
связи
ацп
сигнал
схеме
ёмкость
нагрузки
сигналов
выходного
источника
Jahr:
2012
Sprache:
russian
Datei:
PDF, 2.50 MB
0 / 5.0
russian, 2012
37
Космическая игра

Космическая игра

Гроф Станислав
сознания
переживания
космическая
игра
творения
реальности
вселенной
различных
сознание
холотропных
переживаний
бытия
состояниях
природы
переживание
состояния
мире
науки
человеческой
многих
смерть
связь
состояний
зла
истории
рождения
повседневной
пределы
полностью
различные
существование
формы
наше
нашего
процесс
космического
психики
материалистической
существования
духовных
аспекты
принцип
прозрения
рождение
тела
множество
сознанием
холотропные
человечества
книге
Sprache:
russian
Datei:
FB2 , 451 KB
0 / 0
russian
38
Расчет полупроводниковых приборов и элементов интегральных микросхем

Расчет полупроводниковых приборов и элементов интегральных микросхем

Зятьков И.И., Миронов В.А. и др.
расчет
напряжения
канала
транзистора
заряда
тока
носителей
характеристики
напряжение
электронно
перехода
примесей
стока
диода
мдп
рис
затвором
области
полупроводника
сопротивления
концентрации
кремния
т.е
удельного
затворе
структуры
переходов
значения
толщина
расчета
ток
определяется
стоке
сопротивление
электропроводности
вольт
параметров
базы
выбор
максимально
типа
истока
истоком
слоя
толщины
канале
каналом
передачи
дырочного
разных
Sprache:
russian
Datei:
DJVU, 5.55 MB
0 / 0
russian
39
Полевые транзисторы

Полевые транзисторы

Бочаров Л.Н.
рис
транзистора
канала
типа
стока
напряжения
транзисторов
тока
напряжение
транзистор
затвора
ток
полевого
полевых
мдп
проводимости
каналом
относительно
переходом
транзисторы
перехода
полупроводника
заряда
схема
управляющим
имс
носителей
характеристики
области
электронов
сопротивление
оказывается
проводимость
полевой
качестве
кристалла
переход
слой
слоя
индуцированным
истока
коэффициент
моп
емкость
затвор
основными
канал
приводит
схеме
транзисторах
Jahr:
1984
Sprache:
russian
Datei:
DJVU, 2.36 MB
0 / 0
russian, 1984
40
Схемные применения МОП-транзисторов

Схемные применения МОП-транзисторов

Кроуфорд Р.
рис
моп
транзистора
напряжения
напряжение
области
транзисторов
канала
стока
тока
затворе
схемы
уравнение
транзистор
прибора
типа
характеристики
уравнения
схема
ток
схем
каналом
rде
лава
характеристик
сопротивление
транзисторах
зависимость
заряд
инвертора
заряда
величина
усиления
этоrо
ния
затвор
затвора
коrда
область
стоке
точки
транзи
канале
напря
наrрузочноrо
переключения
коэффициент
окисла
зависит
значения
Jahr:
1970
Sprache:
russian
Datei:
DJVU, 4.40 MB
0 / 0
russian, 1970
41
Схемные применения МОП-транзисторов

Схемные применения МОП-транзисторов

Кроуфорд Р.
рис
моп
транзистора
напряжения
напряжение
области
транзисторов
канала
стока
тока
затворе
схемы
уравнение
транзистор
прибора
типа
характеристики
уравнения
схема
ток
схем
каналом
rде
лава
характеристик
сопротивление
транзисторах
зависимость
заряд
инвертора
заряда
величина
усиления
этоrо
ния
затвор
затвора
коrда
область
стоке
точки
транзи
канале
напря
наrрузочноrо
переключения
коэффициент
окисла
зависит
значения
Jahr:
1970
Sprache:
russian
Datei:
DJVU, 4.40 MB
0 / 0
russian, 1970
42
Эксплуатационные параметры и особенности применения полевых транзисторов

Эксплуатационные параметры и особенности применения полевых транзисторов

Д.В.Игумнов, И.С.Громов.
моп
транзистора
рис
стока
транзисторов
транзистор
канала
напряжение
напряжения
каналом
затвора
полевого
типа
сопротивление
схема
тока
полевых
транзисторы
проводимости
ток
транзисторах
транзисторе
канал
затворе
переходом
характеристики
использовать
схемы
коэффициент
счет
режиме
усиления
заряда
сопротивления
усилителя
затвором
качестве
полупроводника
температуры
затвор
индуцированным
отсечки
вольт
области
позволяет
поверхности
практически
устройства
функции
зависимости
Jahr:
1981
Sprache:
russian
Datei:
DJVU, 1.20 MB
0 / 0
russian, 1981
43
Полевые транзисторы: Практикум

Полевые транзисторы: Практикум

С.В. Тихов, П.А. Шиляев
транзистора
рис
напряжения
uзи
канала
стока
полевого
uси
исток
транзисторы
затвор
истоком
характеристики
транзисторов
полевые
напряжение
отчет
панели
характеристик
затвора
мдп
полевых
помощью
тока
заряда
затвором
области
общим
запишите
значения
источника
канал
ток
установите
каналом
сопротивления
типа
выходных
носителей
управления
зиотс
переходом
транзистор
транзисторного
эдс
вах
изолированным
нажмите
отсечки
получение
Jahr:
2013
Sprache:
russian
Datei:
PDF, 2.09 MB
0 / 4.0
russian, 2013
45
Полупроводниковые приборы

Полупроводниковые приборы

Функ, Т. А. (авт.)
рис
напряжения
напряжение
усилителя
тока
характеристики
ток
перехода
транзистора
схема
сигнала
диода
определить
характеристика
управления
канала
выходного
включения
определяется
приведена
входного
диаграммы
uвых
передачи
происходит
исследование
сопротивление
усиления
значения
обратной
тиристора
временные
напряжению
носителей
осциллографа
характеристик
uвх
коэффициент
напряжений
общим
подвариант
осциллограммы
uвх1
uвх2
цепи
электронов
базы
вход
вых
компаратора
Sprache:
russian
Datei:
PDF, 5.54 MB
0 / 0
russian
46
Полевые транзисторы. Справочник

Полевые транзисторы. Справочник

Гришина Л.М., Павлов В.В
рис
транзисторов
напряжение
исток
стока
затвор
ток
сток
напряжения
транзистора
зависимость
емкость
мгц
постоянное
характеристики
тока
параметры
затвора
типа
транзисторы
максимально
температур
каналом
полевых
мвт
окр
затворе
затвором
параметр
мощность
табл
шума
полевого
полевые
изи
стоке
тран
утечки
зависимости
интервал
коэффициент
рабочих
емкости
иси
истоком
масса
таблица
транзи
входная
границы
Jahr:
1982
Sprache:
russian
Datei:
DJVU, 1.63 MB
0 / 0
russian, 1982
47
Полевые транзисторы

Полевые транзисторы

Бочаров Л.Н.
рис
транзистора
канала
стока
напряжения
тока
затвора
напряжение
проводимости
ток
типа
полевого
транзисторов
относительно
полевых
транзистор
характеристики
перехода
схема
мдп
проводимость
каналом
полупроводника
переходом
электронов
канал
сопротивление
const
носителей
области
коэффициент
управляющим
сигнала
слоя
транзисторы
оказывается
слой
схеме
затвор
насыщения
схемы
дырок
емкость
кристалла
истока
полевой
приводит
происходит
индуцированным
подложки
Jahr:
1976
Sprache:
russian
Datei:
DJVU, 1.68 MB
0 / 0
russian, 1976
48
Транзисторы. Справочник

Транзисторы. Справочник

Григорьев О.П. и др.
параметров
значения
рис.п
транзисторы
тип
прибора
мощности
транзистора
мгц
ткд133
ткд165
транзисторов
предельные
напряжение
рис
частоты
коллектора
тока
эмиттер
гост
стр
коллектор
максимально
биполярные
напряжения
ток
измерения
оооооооо
рисунок
оооооооооо
продолжение
малой
базы
база
ооо
оооо
л1л
мкс
обозначения
ооооо
средней
затвором
типа
хвш
эмиттера
frp
транзистор
цепи
метод
oooooooooooo
Jahr:
1989
Sprache:
russian
Datei:
DJVU, 2.32 MB
0 / 0
russian, 1989
50
Транзисторы- Справочник

Транзисторы- Справочник

Григорьев О.П. и др
рис.п
транзисторы
мощности
ткд133
ткд165
мгц
транзистора
транзисторов
табл
частоты
продолжение
напряжение
рис
стр
тип
прибора
эмиттер
гост
тока
коллектора
максимально
биполярные
коллектор
ток
малой
измерения
таблица
средней
напряжения
база
базы
окончание
каналом
тк135
высокой
затвором
обозначения
типа
цепи
метод
таблицы
транзистор
параметров
ткд152
эмиттера
полевые
передачи
биполярного
выводами
п.зо
Sprache:
russian
Datei:
DJVU, 2.78 MB
0 / 0
russian